Własności fizyczne ciał stałych zależą nie tylko od ich pasmowej struktury, ale również od obecności zlokalizowanych stanów elektronowych w przerwie energetycznej. Występowanie tych stanów jest w wypadku materiałów krystalicznych związane z naruszeniem symetrii translacyjnej na skutek obecności różnego rodzaju defektów lub domieszek, a w wypadku materiałów amorficznych - głównie z brakiem uporządkowania dalekiego zasięgu. Zlokalizowane stany mają między innymi zasadniczy wpływ na procesy transportu i rekombinacji nadmiarowych nośników ładunku. Zjawiska te leżą u podstaw zastosowań półprzewodników i izolatorów w elektronice, elektrotechnice i innych dziedzinach. Poznanie własności zlokalizowanych stanów w konkretnych materiałach ma więc, poza aspektem naukowym, duże znaczenie praktyczne. Aktualnie dotyczy to zwłaszcza materiałów amorficznych, ze względu na stale rozszerzający się zakres ich zastosowań. Jedną z metod badania zlokalizowanych stanów w izolatorach i półprzewodnikach o niskim przewodnictwie elektrycznym jest pomiar termicznie stymulowanych prądów (ang. thermally stimulated currents, TSC). Polega on na generacji nadmiarowych nośników ładunku w zaopatrzonej w dwie elektrody próbce, oziębionej do niskiej temperatury. Następnie próbkę ogrzewa się, najczęściej ze stałą szybkością, i rejestruje prąd przepływający pod wpływem przyłożonego do próbki napięcia. Opisana metoda była stosowana do badania krystalicznych materiałów od połowy lat 50. W tym też czasie zostały sformułowane podstawy klasycznej teorii TSC. Szczegółowy opis teorii i wyników doświadczalnych zawierają monografie Bube'a [l], Bräunlicha [2] (rozdziały 1-2), Wiertoprachowa i Salmana [3], Chena i Kirscha [4], Gorochowackiego i Bordowskiego (5] oraz Chena i McKeevera [6].
Spis treści:Wykaz ważniejszych oznaczeń i skrótów
1. WPROWADZENIE
2. MODEL WIELOKROTNEGO PUŁAPKOWANIA
2.1. Wielkości charakteryzujące wychwyt, uwalnianie i transport nośników
2.2. Równania kinetyki TSC w konfiguracji czasu przelotu
2.3. Równania kinetyki TSC w koplanarnej konfiguracji elektrod
2.4. Przybliżone równania kinetyki wychwytu i uwalniania nośników
2.5. Interpretacja przybliżonych równań wychwytu i uwalniania nośników
2.6. Modelowe rozkłady pułapek
2.7. Temperaturowe i energetyczne zależności parametrów transportu
2.8. Demarkacyjne poziomy energii
3. TERMICZNIE STYMULOWANE PRĄDY MIERZONE W KONFIGURACJI CZASU PRZELOTU
3.1. Transport nośników w ciele stałym z monoenergetycznymi stanami pułapkowymi
3.2. Gaussowski transport nośników ładunku
3.2.1. Podstawowe rozwiązania
3.2.2. Wpływ początkowego rozkładu nośników
3.2.3. Wpływ przestrzennego rozkładu pułapek
3.3. Słabo dyspersyjny transport nośników ładunku
3.4. Silnie dyspersyjny transport nośników ładunku
3.4.1. Podstawowe rozwiązania
3.4.2. Wpływ początkowego rozkładu nośników
3.4.3. Zależność parametrów pułapek od energii
3.4.4. Zależność parametrów transportu od temperatury
3.4.5. Wpływ przestrzennego rozkładu pułapek
3.4.6. Wpływ sposobu ogrzewania próbki
3.4.7. Wpływ zapełnienia pułapek
3.5. Porównanie z wybranymi wynikami doświadczalnymi
4. TERMICZNIE STYMULOWANE PRĄDY MIERZONE W KOPLANARNEJ KONFIGURACJI ELEKTROD
4.1. Słabo dyspersyjny transport nośników ładunku
4.2. Silnie dyspersyjny transport nośników ładunku
4.2.1. Podstawowe rozwiązania
4.2.2. Wpływ sposobu ogrzewania próbki
4.2.3. Wpływ zapełnienia pułapek
4.3. Porównanie z wybranymi wynikami doświadczalnymi
5. PODSUMOWANIE
A. TERMICZNIE STYMULOWANY ZANIK POTENCJAŁU
A.1. Równania kinetyki termostymulowanego zaniku potencjału
A.2. Słabo dyspersyjny transport nośników ładunku
A.3. Silnie dyspersyjny transport nośników ładunku
B. METODY NUMERYCZNE
B.1. Metoda Monte Carlo
B.2. Metoda różnic skończonych
C. UZUPEŁNIENIA
C.1. Ogólne równania kinetyki TSCRP
C.2. Wzory przybliżone dla funkcji 0 (t) i ts (t)
C.3. Asymptotyczne rozwinięcie całek
C.4. Funkcje opisujące transport gaussowski
C.5. Transport dyspersyjny - warunki początkowe
C.6. Metoda Monte Carlo - obliczanie czasu Atr
BIBLIOGRAFIA
Streszczenie w j. polskim
Streszczenie w j. angielskim
